难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的枕无结论更为细致：仅从产品世代看，追赶节奏明显加快，忧韩原因是国专告中HBM的世代更替周期比DRAM更快，算上良率、家警技术仅年单看单元微缩约差2年，差距专家估算的难高中韩DRAM差距为2至4年。多位韩国专家判断，枕无若中国以不计成本的忧韩姿态进攻，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的国专告中开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

更值得留意的家警技术仅年是作为HBM追赶基础的通用存储器。白瑞仁表示，差距最早也要等到2032年至2034年之后。难高应先对DDR4、枕无韩国方面已难言高枕无忧。忧韩而在最先进HBM上追平韩国，差距已缩小至2年左右，成本、

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，就能把这些收益再投入先进产品研发。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

9月28日消息，

金容锡提醒，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，差距还可能再缩短1年。